SK hynix vừa công bố kiến trúc lai gọi là High-Bandwidth Storage (HBS), hợp nhất DRAM và NAND nhằm tăng tốc xử lý dữ liệu cho AI trên thiết bị di động. Công nghệ này hứa hẹn giảm trễ, tiết kiệm năng lượng và giúp điện thoại mỏng hơn.
SK hynix đã phát triển một gói bộ nhớ mới mang tên High-Bandwidth Storage (HBS), kết hợp DRAM và NAND vào cùng một mô-đun để tăng băng thông và hiệu suất xử lý cho các tác vụ AI trên smartphone và tablet.
HBS không cần dùng công nghệ Through-Silicon Via (TSV) như một số giải pháp HBM, nên quy trình sản xuất đơn giản hơn và tỉ lệ thu hoạch (yield) có thể cao hơn — một yếu tố quan trọng khi muốn mở rộng sản xuất hàng loạt.
SK hynix cũng đã ứng dụng đóng gói DRAM dựa trên VFO trong sản phẩm của Apple (Vision Pro), cho thấy công ty có sẵn kinh nghiệm để đưa HBS vào các hệ sinh thái di động. Khi ghép nối với bộ xử lý ứng dụng (AP), mô-đun HBS hứa hẹn giúp smartphone và tablet xử lý khối lượng công việc AI nặng hiệu quả hơn, mở đường cho thế hệ AI trên thiết bị mạnh mẽ hơn.
Nguồn: Notebookcheck
SK hynix đã phát triển một gói bộ nhớ mới mang tên High-Bandwidth Storage (HBS), kết hợp DRAM và NAND vào cùng một mô-đun để tăng băng thông và hiệu suất xử lý cho các tác vụ AI trên smartphone và tablet.
Công nghệ VFO: xếp chồng thẳng hàng, giảm suy hao tín hiệu
Vertical Wire Fan-Out (VFO) là kỹ thuật then chốt cho phép xếp chồng đến 16 lớp DRAM và NAND theo phương thẳng đứng và kết nối chúng theo một đường thẳng. Cách làm này loại bỏ các đường dây cong thường thấy trong đóng gói truyền thống, giảm khoảng cách truyền tín hiệu và suy hao, từ đó rút ngắn thời gian xử lý dữ liệu.Lợi ích chính của HBS với thiết bị di động
- Tăng băng thông và giảm độ trễ, giúp các mô-đun trí tuệ nhân tạo (AI) trên máy hoạt động nhanh hơn.
- Tiết kiệm năng lượng: quá trình VFO giúp giảm tiêu thụ khoảng 5% so với giải pháp truyền thống.
- Cải thiện tản nhiệt nhẹ, giảm nhiệt độ hoạt động khoảng 1,4%.
- Giảm chiều cao đóng gói 27%, hỗ trợ thiết kế máy mỏng hơn và linh hoạt hơn cho thiết bị di động.
- Giảm yêu cầu về đi dây so với các giải pháp cũ (theo SK hynix, giảm khoảng 4,6 lần), giúp nâng cao độ hoàn thiện sản phẩm và hạ chi phí sản xuất.
HBS không cần dùng công nghệ Through-Silicon Via (TSV) như một số giải pháp HBM, nên quy trình sản xuất đơn giản hơn và tỉ lệ thu hoạch (yield) có thể cao hơn — một yếu tố quan trọng khi muốn mở rộng sản xuất hàng loạt.
SK hynix cũng đã ứng dụng đóng gói DRAM dựa trên VFO trong sản phẩm của Apple (Vision Pro), cho thấy công ty có sẵn kinh nghiệm để đưa HBS vào các hệ sinh thái di động. Khi ghép nối với bộ xử lý ứng dụng (AP), mô-đun HBS hứa hẹn giúp smartphone và tablet xử lý khối lượng công việc AI nặng hiệu quả hơn, mở đường cho thế hệ AI trên thiết bị mạnh mẽ hơn.
Nguồn: Notebookcheck
Bài viết liên quan
